Basit öğe kaydını göster

Determination of Power MOSFET's Gate Oxide Degradation Under Different Electrical Stress Levels Based on Stress-Induced Oxide Capacitance Changes

dc.contributor.authorHatice Gul Sezgin-Ugranli,Yasin Ozcelep
dc.date.accessioned2023-02-10T12:55:31Z
dc.date.available2023-02-10T12:55:31Z
dc.date.issued2021
dc.identifier10.1109/TED.2020.3044269
dc.identifier.issn1557-9646
dc.identifier.urihttps://dx.doi.org/10.1109/TED.2020.3044269
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11772/12237
dc.sourceIEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
dc.subjectElectrical and Electronic Engineering
dc.titleDetermination of Power MOSFET's Gate Oxide Degradation Under Different Electrical Stress Levels Based on Stress-Induced Oxide Capacitance Changes
dc.typeArticle
dc.identifier.volume68
dc.identifier.issue2


Bu öğenin dosyaları:

DosyalarBoyutBiçimGöster

Bu öğe ile ilişkili dosya yok.

Bu öğe aşağıdaki koleksiyon(lar)da görünmektedir.

Basit öğe kaydını göster